一、反激的三种模式
CCM模式，变压器每个周期的能量没有完全释放完，下一个周期的驱动信号就来了，在此阶段初期，开关管关断时，漏感尖峰迅速冲高，随后被吸收电路（如 RCD 吸收回路）压制，并伴随一段高频衰减振荡；随后进入平坦期，Vds稳定在Vin+V副边折算电压；最后开关管导通，Vds拉低。
DCM模式，变压器的能量在周期结束前已经完全释放完了。前半段与CCM模式一样，当副边电流为0时，变压器励磁电感与开关管的寄生电容发生谐振，此时Vds电压围绕Vin大小附近进行衰减振荡(RCD钳位电路)。
CRM模式，副边电流为0后，当Vds开始围绕Vin进行谐振时(芯片内部存在波谷检测电路)，控制器会立刻导通开关管，所以图中Vds会存在一半小圆弧。(副边电流先为0，接着Vds开始振荡到波谷，导通开关管)
负载影响
在功率一定的前提下，负载越重(电阻越小)，电流越大，下降的时间越长，剩下振荡的时间就越短；反之负载越轻(电阻越大)，电流越小，下降时间越短，剩下振荡的时间就越长，如上图所示。
如果负载已经非常轻了，此时频率已经非常高了，负载继续减轻，满足不了临界模式条件了(电流释放太快，芯片存在一个频率上限，超过上限会导致开关损耗增大)，为了减小开关损耗，芯片会自动寻找下一个波谷进行开通开关管。
