结型场效应晶体管JEFT(一)——原理

两个p区之间的n区是导电沟道，在这个n沟道器件中，多数载流子电子自源极流向漏极，器件的栅极是控制端。由于在n沟道晶体管中，多数载流子电子主要起导电作用，所以JFET是多数载流子导电器件。

给栅极施加零偏电压，栅极的pn结形成一定宽度的耗尽区，但此时两侧栅极的耗尽区离得较远，中间区域称之为导电沟道。当漏源之间施加正偏电压VDS，电子从源极进入，流经沟道区域，到达漏极，形成电流ID。电流-电压特性如右图所示。

给栅极施加负偏电压，栅极的pn结的耗尽区扩展，两侧耗尽区之间的距离减小，导电沟道变窄，沟道电阻增加。当漏源之间施加正偏电压VDS，电子从源极进入，流经沟道区域，到达漏极，形成电流ID。电流-电压特性的斜率降低。

给栅极施加更大的负偏电压，栅极的pn结的耗尽区继续扩展，此时两侧耗尽区之间的距离减小至零，导电沟道被夹断。当漏源之间施加正偏电压VDS，电子从源极进入，却无法通过沟道区域，因此电流ID等于零。电流-电压特性进入截止状态。