news 2026/6/16 13:35:44

动态NAND恢复技术打破QLC寿命天花板

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张小明

前端开发工程师

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动态NAND恢复技术打破QLC寿命天花板

在企业级存储领域,NAND闪存的“寿命焦虑”与“性能衰减”始终是两大核心痛点。随着数据量爆炸式增长,企业对存储设备的可靠性、生命周期和性能稳定性提出了近乎苛刻的要求——既要承受高P/E(编程/擦除)周期的高强度写入,又要保证从寿命初期(BOL)到寿命末期(EOL)的性能不崩盘,还要抵御读干扰、交叉温度、数据留存等多重环境压力。

群联电子(Phison)推出的“动态NAND恢复”(Dynamic NAND Recovery)技术,正以7项核心专利为支撑,直接击穿了这些行业瓶颈。

首先要认清NAND闪存的固有缺陷。无论是TLC还是QLC,NAND的存储单元在反复编程/擦除过程中,阈值电压会逐渐漂移,导致读取错误率上升;

同时,以下四大核心问题进一步加剧了企业级存储的挑战:

  • 寿命上限瓶颈:传统NAND的P/E周期存在明确天花板,QLC尤为突出——普通QLC的P/E周期通常在1000-2000次,即使是企业级QLC也难以突破3000次,限制了存储设备的服役周期;

  • 性能衰减不可逆:从BOL到EOL,NAND的读取速度会因

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