news 2026/4/16 18:20:49

12S BMS 核心设计:基于 STM32H743+BQ34Z100 的 SOC/SOH 实现与全链路技术解析(下)

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张小明

前端开发工程师

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12S BMS 核心设计:基于 STM32H743+BQ34Z100 的 SOC/SOH 实现与全链路技术解析(下)
6.1.2 I2C3 寄存器配置表
模块寄存器名称地址(十六进制)配置值(十六进制)说明
I2C3CR10x40005C000x00000001使能 I2C3,禁止 PEC,禁止时钟拉伸(根据 BQ34Z100 时序)
CR20x40005C040x000000007 位地址模式,禁止自动 end 模式,默认传输长度 0 字节
OAR10x40005C080x00000000主机模式,不设置自身地址
OAR20x40005C0C0x00000000禁用双地址模式
TIMINGR0x40005C100x00707CBB400kHz 时序配置:tSU (STA)=600ns,tW (H)=600ns,tW (L)=1.3μs,tBUF=66μs
ICER0x40005C280x00000000禁用所有 I2C 中断
DMACR0x40005C380x00000003使能 TX DMA 和 RX DMA
CR10x40005C000x00000001最终使能 I2C3
6.1.3 DMA1 寄存器配置表
模块寄存器名称地址(十六进制)配置值(十六进制)说明
DMA1_Stream0(I2C3 RX)CR0x400200000x00000000初始禁用,后续通过 HAL 库配置
NDTR0x400200180x00000002传输长度 2 字节(BQ34Z100 数据多为 2 字节)
PAR0x4002001C0x40005C24外设地址:I2C3_DR 寄存器
M0AR0x400200200x24000000内存地址:bq34z100_dma_rx_buf(示例地址,实际为缓冲区首地址)
CR0x400200000x00000023使能 Stream0,循环模式,外设到内存,字节对齐,中等优先级
DMA1_Stream1(I2C3 TX)CR0x400200400x00000000初始禁用
NDTR0x400200580x00000003传输长度 3 字节(命令 + 数据,如 Control 命令需 3 字节)
PAR0x4002005C0x40005C24外设地址:I2C3_DR 寄存器
M0AR0x400200600x24000008内存地址:bq34z100_dma_tx_buf(示例地址)
CR0x400200400x00000021使能 Stream1,正常模式,内存到外设,字节对齐,中等优先级
DMA1LIFCR0x400200000x00000000清除 Stream0/1 中断标志
6.1.4 ADC1 寄存器配置表(冗余温度采样)
模块寄存器名称地址(十六进制)配置值(十六进制)说明
ADC1CR10x580000000x00000000初始配置
CR20x580000040x00000000禁用 ADC,单次转换模式
SMPR10x5800000C0x00000003通道 0 采样时间:2.5 周期(快速采样,适配 NTC 变化)
SQR10x580000200x00000000转换序列长度 1
SQR30x580000300x00000000转换通道 0(PA0,冗余 NTC 采样)
CR20x580000040x00000001使能 ADC1

6.2 BQ34Z100 核心寄存器配置表

6.2.1 标准命令寄存器(Standard Data Commands)
寄存器名称命令码(十六进制)数据长度访问权限(SEALED)访问权限(UNSEALED)单位说明
Control()0x00/0x012 字节R/W(部分子命令)R/W-控制命令,需配合子命令(如 Unseal、IT_ENABLE、Reset)
StateOfCharge()0x021 字节RR%SOC 值(0~100),核心寄存器
MaxError()0x031 字节RR%SOC 估算最大误差(1~100)
RemainingCapacity()0x04/0x052 字节RRmAh剩余容量
FullChargeCapacity()0x06/0x072 字节RRmAh满电容量(FCC),SOH 计算核心参数
Voltage()0x08/0x092 字节RRmV电池总电压(12S 总电压 36V~50.4V 对应 36000~50400mV)
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